Запропоновано нову трактовку задачі про двовимірний екситон Ванньє - Мотта в постійному електричному полі, побудовану на параболічних координатах. Систематизовано квазістаціонарний гамільтоніан і застосовано ефективні числові методи. Обчислено залежність енергії зв'язку екситону від електричного поля. У цьому випадку результати дуже близькі до результатів, одержаних з використанням теорії збурень.

Розглянуто кінетику затухання екситонної люмінесценції домішкових молекул, які знаходяться в тришаровій системі поблизу пограничних діелектричних середовищ, за наявності переносу енергії електронного збудження між ними. Показано, що зміна функціональної залежності ферстеровської ймовірності переносу енергії призводить до нових характерних залежностей в кінетиці затухання домішкової люмінесценції шаруватих систем.

Проаналізовано внески в енергетичний спектр екситона в напівпровідниковій квантовій точці (КТ), які дають кінетична енергія електрона і дірки, енергія кулонівської взаємодії між ними й енергія поляризаційної взаємодії електрона і дірки зі сферичною поверхнею поділу КТ - діелектричне середовище. Прослідковано граничний перехід спектра екситона в КТ у спектр об'ємного екситона.

У межах дипольного наближення розвинено теорію взаємодії електромагнітного поля з одночастинковими квантоворозмірними станами (ОЧКРС) носіїв заряду, які виникали в об'ємі напівпровідникової квантової точки (КТ). Показано, що сили осциляторів переходів, дипольні моменти переходів для одночасткових станів, а також значення перерізів поглинання світла на ОЧКРС у КТ набувають великих значень, що перевищують типові значення для напівпровідникових матеріалів.

Обговорено можливість застосування напівпровідникових квантових точок (КТ) для вивчення та діагностики біологічних наносистем. Запропоновано новий метод діагностики амінокислот з використанням напівпровідникових КТ. Детально вивчено взаємодію КТ із зарядженими амінокислотами. Показано, що в результаті такої взаємодії спостерігається зсув спектра люмінесценції КТ на декілька меВ. Такий ефект забезпечує нові можливості для ідентифікації біологічних нанооб'єктів з допомогою КТ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.25 + В374.3

Рубрики:

Розсіяне (дифузне) відбиття . Поверхневе розсіяння.

Поглинання. Дисперсія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розвинуто теорію розмірного квантування рівнів лазерної генерації у напівпровідникових квантових точках, розміщених у напівпровідниковій матриці. За допомогою нового оптичного методу, що базується на порівнянні теоретичних та експериментальних залежностей спектрів електронно-діркової пари від радіуса квантової точки, визначено розміри квантових точок, масив яких складає активну область інжекційного лазера.

For a semiconductor quantum dot (QD), the contributions made to the exciton energy spectrum by the electron and hole kinetic energies, the energy of Coulomb interaction between them, and the energy of their polarization interaction with the spherical interface between the QD and the dielectric medium have been analyzed.

В обзоре обсуждено современное состояние исследований искусственных атомов (сверх атомов или квазиатомных наногетероструктур) и более сложных наноструктур на их основе - синтетических молекул, предложена новая модель искусственного атома, удовлетворительно объясняющая его электронные свойства, а также указаны перспективы для развития нового научного направления.

Было установлено, что в пределах ширины запрещенной зоны квантовой точки из селенида цинка появляется зона экситонных состояний, расположенная в нижней части зоны проводимости. Было показано, что уменьшение ширины запрещенной зоны этой наносистемы обусловлено переходом электрона из квантово-размерного уровня в валентной зоне квантовой точки к уровням зоны экситонных состояний. Зависимость энергии основного состояния экситона от радиуса квантовой точки была получена с использованием модифицированного метода эффективной массы.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В372.314.2

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The monograph analyzes the results of theoretical investigations of excitons states (electron-hole pairs states) in a quasi-zero-dimensional nanosystems consisting of spherical semiconductor nanocrystals (quantum dots) placed in transparent dielectric matrices. The theory of exciton states in a quantum dot under conditions of dominating polarization interaction of an electron and a hole with a spherical (quantum dot-dielectric matrix) interface are developed. An shown, that the energy spectrum of heavy hole in the valence band quantum dot is equivalent to the spectrum of hole carrying out oscillator vibrations in the adiabatic electron potential.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В372.314.2

Рубрики:

Наноструктури

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж68643 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано, що врахування відцентрової енергії в гамільтоніані екситона з просторово розділеними електроном і діркою (дірка рухається у квантовій точці германію, а електрон локалізується над сферичною поверхнею поділу квантова точка - матриця кремнію) призводить до появи квазістаціонарних станів у зоні поверхневих екситонних станів, які з ростом радіусу квантової точки переходять у стаціонарні стани. Встановлено, що спектри міжзонного поглинання наносистеми складаються з енергетичних зон, утворених електронними переходами між квазістаціонарними та стаціонарними станами, а спектри внутрішньозонного поглинання складаються із зон, які формуються електронними переходами між стаціонарними станами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.25

Рубрики:

Тунельний ефект

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В372.314.2

Рубрики:

Наноструктури

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ